据媒体报道，中国科学技术大学的Fan fengjia，Fan Yue和Hu Wei教授最近取得了重要的科学突破。作为新一代的名人半导体材料，金属卤化物Butvskite在LED发光层材料领域表现出很大的潜力，这是由于载体，高颜色纯度和宽的颜色范围。其中，作为三种主要表现形式之一，纯红灯钙钛矿LED被认为是一种基本的未来现场技术，它表现出很高的意义，但是很长一段时间以来，亮度和效率都存在技术困难。通过独立开发的电兴趣瞬时吸收光谱学（EETA），研究小组实现了对运动状态的实时观察LED内的电子和孔首次。这项被称为拍摄LED的创新技术表明，电子传输层中的孔泄漏是限制纯红色光钙钛矿LED的性能的主要因素。为了回应这一发现，Yao Hongbin团队具有创新的三维钙钛矿异质结材料的结构设计。通过将有机分子进入钙钛矿晶格，团队成功地改变了发光层的晶体结构，并建立了一个宽带的带隙屏障，可以有效地阻止孔的泄漏。这种设计不仅实现了载体的有效领域，而且还保持了材料的高质量。在研究过程中，Hu Wei教授的团队负责对理论结构进行分析，而Lin Yue教授的团队通过球形电子显微镜完全证明了材料。基于这种创新设计，该团队成功地准备了纯红色的钙钛矿LED设备，其性能良好。测试数据表明，设备（EQE）的外部体积的峰值达到24.2％，这与领先的OLED水平相当。最大亮度为24,600 cd/m²，是先前报道的纯红光三维钙钛矿LED的三倍；在高亮度为22,670 cd/m²处，Aparato仍然可以保持超过10％的EQE，显示出巨大的效率稳定性。这项研究的结果不仅将解决纯红色光钙钛矿LED领域的主要科学问题，而且还显示了在开发出出色，明亮和高度稳定的Butvskite LED中应用三维BUTVSKITE杂连接材料的巨大潜力，为开发新一代开辟了新的道路。 [本文的结尾]如果您需要打印，请确保指示来源：Kuai技术编辑：Lujiao